Analysis of back-gate effect on breakdown behaviour of over 600V SOI LDMOS transistors
Analysis of back-gate effect on breakdown behaviour of over 600V SOI LDMOS transistors
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背栅效应对600V以上SOI LDMOS晶体管击穿行为的分析
DOI：
10.1049/el:20071978
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发表时间：
2007-11
影响因子：
1.1
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
提出了一种新的SOI BGREBULF（back-gate reduced bulk field）概念，它突破了横向高压SOI晶体管垂直击穿电压的限制。改善击穿行为的机制是减少了
A novel concept of SOI BG REBULF (back-gate reduced bulk field), which breaks through the limitation of vertical breakdown voltage of lateral high-voltage SOI transistors, is proposed. The mechanism of the improved breakdown behaviour is the reduction of
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影响因子：
4.9
作者：
通讯作者：
--
影响因子：
1.7
作者：
B. Duan;Bo Zhang;Zhaoji Li
通讯作者：
B. Duan;Bo Zhang;Zhaoji Li
DOI：
10.1109/iedm.2004.1419185
发表时间：
2004-12
期刊：
IEDM Technical Digest. IEEE International Electron Devices Meeting, 2004.
影响因子：
--
作者：
F. Udrea;T. Trajkovic;G. Amaratunga
通讯作者：
F. Udrea;T. Trajkovic;G. Amaratunga
影响因子：
4.9
作者：
X. Luo;Bo Zhang;Zhaoji Li;Yufeng Guo;Xinwei Tang;Yong Liu
通讯作者：
X. Luo;Bo Zhang;Zhaoji Li;Yufeng Guo;Xinwei Tang;Yong Liu