Silicon nanowire devices with widths below 5 nm
Silicon nanowire devices with widths below 5 nm
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宽度小于5纳米的硅纳米线器件
DOI：
10.1109/nano.2012.6322005
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Mirza M
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Mirza M
通过隧道氮氧化物、堆叠电荷陷阱层和机械应变增强硅纳米线存储器的性能
影响因子：
4.9
作者：
C. Huang;C. H. Yang;C. Hsueh;J. H. Lee;Y. Chang;S. C. Lee
通讯作者：
S. C. Lee
利用电子束光刻中的邻近效应制造硅纳米线以研究库仑封锁效应
影响因子：
3.5
作者：
Xiangao Zhang;Zhonghui Fang;Kunji Chen;Jun Xu;Xinfan Huang
通讯作者：
Xinfan Huang
硅基结构中温度高达 50 K 时的库仑封锁
影响因子：
4
作者：
D. Paul;J. Cleaver;H. Ahmed;T. Whall
通讯作者：
T. Whall