Plasma-assisted electroepitaxy as a method for the growth of GaN layers
Plasma-assisted electroepitaxy as a method for the growth of GaN layers
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等离子体辅助电外延作为 GaN 层生长的方法
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2010.12.062
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发表时间：
2011
影响因子：
1.8
通讯作者：
Novikov S
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Novikov S
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液相电外延技术中 GaN 层的选择性回熔蚀刻
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1.8
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S. Novikov;T. Cheng;Z. Mahmood;I. Harrison;C. T. Foxon
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G. Müller
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通讯作者：
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DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
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通讯作者：
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通讯作者：
S. Porowski