Spectrometric analysis of silicon nitride films deposited by low-temperature liquid-source CVD
Spectrometric analysis of silicon nitride films deposited by low-temperature liquid-source CVD
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低温液源 CVD 沉积氮化硅薄膜的光谱分析
DOI：
10.1063/1.5114675
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发表时间：
2019
影响因子：
3.2
通讯作者：
K. Yamada
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
R. Kou;N. Yamamoto;G. Fujii;T. Aihara;T. Tsuchizawa;A. Ishizawa;K. Hitachi;H. Gotoh;M. Ukibe;K. Yamada
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--
发表时间：
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通讯作者：
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通讯作者：
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