EUVL Stochastics Symposium
EUVL Stochastics Symposium
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EUVL随机研讨会
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T. Kozawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yang Jin-Peng;Ren Si-Xian;Yamaguchi Takuma;Meissner Matthias;Cheng Li-wen;Zhou Lei;Ideta Shinichiro;Tanaka Kiyohisa;Kera Satoshi;T. Kozawa
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用于极紫外的衰减相移掩模：它们可以减轻三维掩模效应吗？
DOI：
10.1117/1.jmm.18.1.011005
发表时间：
2018
期刊：
Journal of Micro/Nanolithography, MEMS, and MOEMS
影响因子：
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作者：
A. Erdmann;P. Evanschitzky;H. Mesilhy;V. Philipsen;E. Hendrickx;Markus Bauer
通讯作者：
Markus Bauer
通过替代金属吸收剂减少极紫外掩模三维效应
DOI：
10.1117/1.jmm.16.4.041002
发表时间：
2017
期刊：
Journal of Micro/Nanolithography, MEMS, and MOEMS
影响因子：
--
作者：
V. Philipsen;Kim Vu Luong;L. Souriau;A. Erdmann;Dongbo Xu;P. Evanschitzky;R. V. D. van de Kruijs;Arash Edrisi;F. Scholze;C. Laubis;M. Irmscher;Sandra Naasz;C. Reuter;E. Hendrickx
通讯作者：
E. Hendrickx
EUV 掩模上 ML 缺陷的随机印刷行为
DOI：
10.1117/12.2538153
发表时间：
2019
期刊：
Advanced Risk & Portfolio Management® Research Paper Series
影响因子：
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作者：
R. Jonckheere;L. Melvin;R. Capelli
通讯作者：
R. Capelli
EUV 光刻中非局部掩模缺陷的随机印刷行为
DOI：
10.1117/12.2572998
发表时间：
2020
期刊：
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影响因子：
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作者：
R. Jonckheere;L. Melvin
通讯作者：
L. Melvin
高数值孔径光刻中的极紫外掩模粗糙度效应。
影响因子：
1.9
作者：
P. Naulleau;Yow;T. Pistor
通讯作者：
T. Pistor