A Planar Distributed Channel AlGaN/GaN HEMT Technology
A Planar Distributed Channel AlGaN/GaN HEMT Technology
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平面分布沟道AlGaN/GaN HEMT技术
DOI：
10.1109/ted.2019.2907152
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发表时间：
2019
影响因子：
3.1
通讯作者：
Elksne M
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Elksne M
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具有分布式栅极的 AlGaN/GaN HEMT 可降低沟道温度
影响因子：
4.3
作者：
A. Darwish;H. A. Hung;Amr A. Ibrahim
通讯作者：
Amr A. Ibrahim
基于 GaN HEMT 的功率放大器 MMIC 直接液冷实验评估
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
2015 IEEE MTT-S International Microwave Symposium
影响因子：
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作者：
C. Xie;R. Wilcoxon
通讯作者：
R. Wilcoxon
具有分布式栅极的 AIGaN/GaN HEMT 可提高热性能
DOI：
10.23919/eumic.2018.8539896
发表时间：
2018
期刊：
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影响因子：
--
作者：
Elksne M
通讯作者：
Elksne M
用于高功率密度 GaN on SiC 的微流体热交换器
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
2014 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS)
影响因子：
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作者：
Y. Won;Farzad Houshmand;D. Agonafer;M. Asheghi;K. Goodson
通讯作者：
K. Goodson
表面处理对 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管隔离电流的影响
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
--
作者：
N. Moser;J. Gillespie;G. Via;A. Crespo;M. Yannuzzi;G. Jessen;R. Fitch;B. Luo;F. Ren;B. Gila;A. Onstine;C. Abernathy;S. Pearton
通讯作者：
S. Pearton