High density InAs/GaAs quantum dots with enhanced photoluminescence intensity using antimony surfactant-mediated metal organic chemical vapor deposition
High density InAs/GaAs quantum dots with enhanced photoluminescence intensity using antimony surfactant-mediated metal organic chemical vapor deposition
复制标题
使用锑表面活性剂介导的金属有机化学气相沉积增强光致发光强度的高密度 InAs/GaAs 量子点
DOI：
--
复制
发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Y.Arakawa
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
D.Guimard;M.Nishioka;S.Tsukamoto;Y.Arakawa
登录
查看更多内容
通过分子束外延在 GaSb/GaAs(001) 层上自组装 InAs 量子点
DOI：
--
发表时间：
2005
期刊：
Journal of Crystal Growth (in press)
影响因子：
--
作者：
K.Yamaguchi;et al.
通讯作者：
et al.
影响因子：
4
作者：
D. Guimard;S. Tsukamoto;M. Nishioka;Y. Arakawa
通讯作者：
D. Guimard;S. Tsukamoto;M. Nishioka;Y. Arakawa
影响因子：
3.7
作者：
A. Portavoce;I. Berbezier;A. Ronda
通讯作者：
A. Portavoce;I. Berbezier;A. Ronda
影响因子：
4
作者：
ARAKAWA, Y;SAKAKI, H
通讯作者：
SAKAKI, H
采用金属有机化学气相沉积法，采用低温生长 AlGaAs 包层堆叠 InAs∕GaAs 量子点发射 1.28μm 激光
影响因子：
4
作者：
J. Tatebayashi;N. Hatori;M. Ishida;H. Ebe;M. Sugawara;Y. Arakawa;H. Sudo;A. Kuramata
通讯作者：
A. Kuramata