In situ TEM observation of resistance switching in titanate based device.
In situ TEM observation of resistance switching in titanate based device.
复制标题
钛酸盐器件中电阻切换的原位 TEM 观察
DOI：
10.1038/srep03890
复制
发表时间：
2014-01-27
影响因子：
4.6
通讯作者：
Yu R
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yang Y;Lü W;Yao Y;Sun J;Gu C;Gu L;Wang Y;Duan X;Yu R
经过几十年的努力，对过渡金属氧化物电阻开关行为的研究已经进入到用直接的实验证据来验证所提出的模型的阶段。采用原位透射电镜观察和原位电子能量损失谱表征方法研究了外加电场作用下La 0. 85 Sr 0. 15 TiO 3/SrTiO 3：Nb（LSTO/STON）复合材料的RS行为和氧含量的变化。研究了外加偏压对氧含量的影响，结果表明，Pt/LSTO界面上的氧空位是形成导电沟道的主要原因。此外，原位TEM表征显示出优势-揭示各种RS行为的起源。
After decades of efforts, the research on resistance switching (RS) behavior in transition metal oxides has shifted to the stage of verifying the proposed models by direct experimental evidences. In this paper, RS behavior and oxygen content variation of La0.85Sr0.15TiO3/SrTiO3:Nb (LSTO/STON) were investigated by in situ transmission electron microscopy observation and in situ electron energy loss spectrum characterization under external electric field. The oxygen content fluctuation adjusted by applied bias has been investigated and the observed results imply the conductive channels should be formed by the oxygen vacancy at the Pt/LSTO interface. Moreover, in situ TEM characterization displays the advantage - to reveal the origin of various RS behaviors.
登录
查看更多内容
影响因子：
41.2
作者：
Szot, K;Speier, W;Waser, R
通讯作者：
Waser, R
影响因子：
38.3
作者：
Kwon, Deok-Hwang;Kim, Kyung Min;Hwang, Cheol Seong
通讯作者：
Hwang, Cheol Seong
影响因子：
8.6
作者：
Rozenberg, MJ;Inoue, IH;Sánchez, MJ
通讯作者：
Sánchez, MJ
影响因子：
19
作者：
Raabe, Stephanie;Mierwaldt, Daniel;Jooss, Christian
通讯作者：
Jooss, Christian
影响因子：
4
作者：
Sawa, A;Fujii, T;Tokura, Y
通讯作者：
Tokura, Y