1270V, 1.21mΩcm2 SiC buried gate static induction transistors (SiC-BGSITs)
1270V, 1.21mΩcm2 SiC buried gate static induction transistors (SiC-BGSITs)
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1270V、1.21mΩcm2 SiC 埋栅静电感应晶体管 (SiC-BGSIT)
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T. Yatsuo
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y. Tanaka;K. Yano;M. Okamoto;A. Tanaka;K. Arai;T. Yatsuo
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1270V、1.21mΩ cm^2 SiC 埋栅静电感应晶体管 (SiC-BGSIT)
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
Y.Tanaka;K.Yano;M.Okamoto;A.Tanaka;K.Arai;and T.Yatsuo
通讯作者：
and T.Yatsuo
980 V、33A 常断 4H-SiC 埋栅静态感应晶体管
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.679-680.662
发表时间：
2011
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
A. Takatsuka;Yasunori Tanaka;K. Yano;T. Yatsuo;K. Arai
通讯作者：
K. Arai
700-V 1.0-$hboxmOmega cdot hboxcm^2$埋栅 SiC-SIT (SiC-BGSIT)
影响因子：
4.9
作者：
Y. Tanaka;M. Okamoto;A. Takatsuka;K. Arai;T. Yatsuo;K. Yano;M. Kasuga
通讯作者：
M. Kasuga
螺纹螺位错引起的 Al 注入 4H SiC pn 二极管高漏电流分析
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.645-648.913
发表时间：
2010
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
T. Tsuji;T. Tawara;R. Tanuma;Y. Yonezawa;N. Iwamuro;K. Kosaka;H. Yurimoto;S. Kobayashi;H. Matsuhata;K. Fukuda;H. Okumura;K. Arai
通讯作者：
K. Arai