Tuning Properties of External Cavity Violet Semiconductor Laser
Tuning Properties of External Cavity Violet Semiconductor Laser
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外腔紫光半导体激光器的调谐特性
DOI：
10.1088/0256-307x/30/7/074204
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发表时间：
2013-07
影响因子：
3.5
通讯作者：
Zhang Bao-Ping
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Lv Xue-Qin;Chen Shao-Wei;Zhang Jiang-Yong;Ying Lei-Ying;Zhang Bao-Ping
采用GaN基激光二极管作为增益器件，实现了可调谐光栅耦合外腔（EC）激光器。实现了从 403.82 到 408.29 nm 的 4.47 nm 调谐范围。详细研究表明，注入电流强烈影响 EC 激光器的性能。在自由运行激光阈值以下，EC激光器工作稳定。当高于自由运行的激光阈值时，观察到发射光谱中的法布里-珀罗（F-P）谐振峰和输出功率注入电流特性曲线中的平滑扭结，这表明内部 F-P 腔谐振和 EC 谐振之间的竞争。此外，发现调谐范围是不对称的并且主要发生在较长波长侧。这是根据 GaN 基量子阱材料的不对称增益分布来解释的。
A tunable grating-coupled external cavity (EC) laser is realized by employing a GaN-based laser diode as the gain device. A tuning range of 4.47 nm from 403.82 to 408.29 nm is achieved. Detailed investigations reveal that the injection current strongly influences the performance of the EC laser. Below the free-running lasing threshold, EC laser works stably. While above the free-running lasing threshold, a Fabry—Perot (F-P) resonance peak in the emission spectrum and a smooth kink in the output power-injection current characteristic curve are observed, suggesting the competition between the inner F-P cavity resonance and EC resonance. Furthermore, the tuning range is found to be asymmetric and occurs predominantly on the longer wavelength side. This is interpreted in terms of the asymmetric gain distribution of GaN-based quantum well material.
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