p-Type Conversion of ZnO Thin Films by Plasma Immersion Ion Implantation
p-Type Conversion of ZnO Thin Films by Plasma Immersion Ion Implantation
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通过等离子体浸没离子注入将 ZnO 薄膜转化为 p 型
DOI：
10.1149/1.3156835
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发表时间：
2009-09
影响因子：
--
通讯作者：
Wang, Peijun
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Jiang, Meifu;Liang, Rongqing;Zhang, Shuyu;Ou, Qiongrong;Liu, Feng;Nie, Zongfu;Xin, Qianqian;Chang, Xijiang;Wu, Xiaojing;Wang, Yipeng;Du, Jilong;Wang, Peijun
采用等离子体浸没离子注入技术辅助共掺杂方法成功制备了p型Al-N共掺杂ZnO[ZnO：（Al，N）]薄膜。最佳p型ZnO：（Al，N）薄膜的空穴浓度、电阻率和迁移率分别为2.89 × 1017 cm- 3、6.87 Ω cm和3.15cm2V-1 s-1。O* 在等离子体反应中起着重要的作用，它产生N原子。注入的N原子被退火后激活，占据氧空位（Vo），并在O位形成氮取代（No）。
p-Type Al-N co-doped ZnO[ZnO:(Al,N)] thin films are successfully fabricated by plasma immersion ion implantation technique assisted with co-doping method. Hole concentration, resistivity, and mobility of the optimum p-type ZnO:(Al,N) film obtained are 2.89 × 10 17 cm- 3 , 6.87 Ω cm, and 3.15 cm 2 V -1 s -1 , respectively. O* plays an important role in the reactions of plasma for its production of N atoms. Implanted N atoms are activated by postannealing, occupy oxygen vacancies (V o ), and form nitrogen substitutions (N o ) at O sites.
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