Vertical field inhomogeneity associated with threading dislocations in GaN high electron mobility transistor epitaxial stacks
Vertical field inhomogeneity associated with threading dislocations in GaN high electron mobility transistor epitaxial stacks
复制标题
与 GaN 高电子迁移率晶体管外延堆栈中的螺纹位错相关的垂直场不均匀性
DOI：
10.1063/5.0066346
复制
发表时间：
2021
影响因子：
4
通讯作者：
Wohlfahrt M
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wohlfahrt M
登录
查看更多内容
影响因子：
3.2
作者：
Besendoerfer, S.;Meissner, E.;Erlbacher, T.
通讯作者：
Erlbacher, T.
应力电压对硅基氮化镓晶体管动态缓冲响应的影响
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
H. Yacoub;D. Fahle;M. Eickelkamp;A. Wille;C. Mauder;M. Heuken;H. Kalisch;A. Vescan
通讯作者：
A. Vescan
影响因子：
4
作者：
Uren, Michael J.;Caesar, Markus;Kuball, Martin
通讯作者：
Kuball, Martin
影响因子：
4
作者：
Usami, Shigeyoshi;Ando, Yuto;Ishikawa, Yukari
通讯作者：
Ishikawa, Yukari
影响因子：
1.6
作者：
Besendoerfer, S.;Meissner, E.;Erlbacher, T.
通讯作者：
Erlbacher, T.