Diffusion behavior of dual capping layers in TiN/LaN/AlN/HfSiOx/Si stack
Diffusion behavior of dual capping layers in TiN/LaN/AlN/HfSiOx/Si stack
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TiN/LaN/AlN/HfSiOx/Si 叠层中双覆盖层的扩散行为
DOI：
10.1063/1.3643517
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发表时间：
2011-09
影响因子：
4
通讯作者：
肖志松
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
肖志松
研究了TiN/LaN/AlN/HfSiOx/Si叠层中LaN/AlN双覆盖层的扩散行为和层间相互作用。在部分去除TiN栅极后进行的深度分析和化学状态分析表明，退火后，Al-O取代Al-N，在TiN和高k层之间形成Al-O偶极层。同时，La扩散到HfSiOx中，并且通过抑制O扩散到底层来控制基于La的偶极子。我们的研究结果表明，TiN/LaN/AlN/HfSiOx/Si叠层的性能可以显着改善的双盖层。
The diffusion behavior and interlayer interactions in the LaN/AlN dual capping layers of TiN/LaN/AlN/HfSiOx/Si stacks are investigated. Depth profiling and chemical state analysis performed after partial removal of the TiN gate indicate that Al-O replaces Al-N forming an Al-O dipole layer between the TiN and high-k layer after annealing. Meanwhile, La diffuses into HfSiOx and the La-based dipole is controlled by suppression of O diffusion to the bottom layer. Our results reveal that the properties of the TiN/LaN/AlN/HfSiOx/Si stack can be improved significantly by the dual capping layers.
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