Study on characteristics of thermally stable HfLaON gate dielectric with TaN metal gate
Study on characteristics of thermally stable HfLaON gate dielectric with TaN metal gate
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TaN金属栅热稳定HfLaON栅介质特性研究
DOI：
10.1063/1.3050522
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发表时间：
2008-12
影响因子：
4
通讯作者：
Xu, Gaobo
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang, Wenwu;Shi, Shali;Xu, Qiuxia;Chen, Dapeng;Han, Zhengsheng;Ye, Tianchun;Xu, Gaobo
我们已经制作了最薄的等效氧化层厚度为0.62 nm的HfLaON栅极介质的TaN/HfLaON/SiOx栅极堆叠具有改善的热稳定性和电气特性。采用Hf-La反应溅射法制备了HfLaON薄膜，
We have fabricated the thinnest equivalent oxide thickness of 0.62 nm HfLaON gate dielectric for TaN/HfLaON/SiOx gate stack with improved thermal stability and electrical characteristics. The HfLaON film was deposited using reactive sputtering of Hf–La an
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Ma, TP
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通讯作者：
Xuguang Wang;Jun Liu;Feng Zhu;Naoki Yamada;Dim-Lee Kwong
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作者：
Xiongfei Yu;Chunxiang Zhu;Mingbin Yu;D. Kwong
通讯作者：
Xiongfei Yu;Chunxiang Zhu;Mingbin Yu;D. Kwong
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M. Houssa;L. Pantisano;L. Ragnarsson;R. Degraeve;T. Schram;G. Pourtois;S. Gendt;G. Groeseneken;M. Heyns
通讯作者：
M. Houssa;L. Pantisano;L. Ragnarsson;R. Degraeve;T. Schram;G. Pourtois;S. Gendt;G. Groeseneken;M. Heyns