Origin of flat-band voltage sharp roll-off in metal gate/high-k/ultrathin- SiO2/Si p-channel metal-oxide-semiconductor stacks
Origin of flat-band voltage sharp roll-off in metal gate/high-k/ultrathin- SiO2/Si p-channel metal-oxide-semiconductor stacks
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金属栅极/高 k/超薄 SiO2/Si p 沟道金属氧化物半导体堆栈中平带电压急剧滚降的起源
DOI：
10.1063/1.3491292
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发表时间：
2010-09
影响因子：
4
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
分析了金属栅/高 k/超薄 SiO2/Si 金属氧化物半导体叠层中平带电压滚降（VFB 滚降）的根源，并提出了描述 SiO2/Si 界面偶极子对 VFB 急剧滚降的作用的模型。
The origin of the flat band voltage roll-off (VFB roll-off) in metal gate/high-k/ultrathin-SiO2/Si metal-oxide-semiconductor stacks is analyzed and a model describing the role of the dipoles at the SiO2/Si interface on the VFB sharp roll-off is proposed.
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DOI：
10.1007/s00339-008-4695-8
发表时间：
2008-06
期刊：
Applied Physics A-Materials Science & Processing
影响因子：
--
作者：
Li, Q.;Jiang, Y.;Huang, A. P.;Xiao, Z. S.
通讯作者：
Xiao, Z. S.
影响因子：
3.7
作者：
Deepthi Gopireddy;C. Takoudis
通讯作者：
Deepthi Gopireddy;C. Takoudis
影响因子：
3.2
作者：
Wenwu Wang;K. Akiyama;W. Mizubayashi;T. Nabatame;H. Ota;A. Toriumi
通讯作者：
Wenwu Wang;K. Akiyama;W. Mizubayashi;T. Nabatame;H. Ota;A. Toriumi
影响因子：
1.9
作者：
H. Kageshima;K. Shiraishi
通讯作者：
H. Kageshima;K. Shiraishi
DOI：
10.1109/nmdc.2006.4388841
发表时间：
2006-06
期刊：
2006 IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference
影响因子：
--
作者：
B. Lee;P. Kirsch;Seung–Hoon Song;R. Choi;R. Jammy
通讯作者：
B. Lee;P. Kirsch;Seung–Hoon Song;R. Choi;R. Jammy