Electron beam doping of impurity atoms into semiconductors by superdiffusion
Electron beam doping of impurity atoms into semiconductors by superdiffusion
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通过超扩散将杂质原子电子束掺杂到半导体中
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Hiroshi Fujimoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takao Wada;Hiroshi Fujimoto
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室温下半导体电子束掺杂（超扩散）技术
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
Defect and Diffusion Forum Vols.221-223
影响因子：
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作者：
Takao Wada;Hiroshi Fujimoto
通讯作者：
Hiroshi Fujimoto
DOI：
10.1007/978-1-4613-3261-9
发表时间：
1981
期刊：
--
影响因子：
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作者：
J. Guldberg
通讯作者：
J. Guldberg
通过踢出机制在半导体无损伤区域进行电子束掺杂（超扩散）（二次离子质谱仪和光致发光测量）
影响因子：
1.5
作者：
T. Wada;H. Fujimoto
通讯作者：
H. Fujimoto
AlxGa1−xP 的电子束外延（高能电子束产生的新型固相外延）
影响因子：
4
作者：
T. Wada;Y. Maeda
通讯作者：
Y. Maeda
半导体中间隙杂质原子位置和电子态的稳定性
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.83-87.527
发表时间：
1992
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
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作者：
Y. Shinozuka
通讯作者：
Y. Shinozuka