Influence of Interfacial Structure on Electrical Properties of Metal/Ge Schottky Contacts
Influence of Interfacial Structure on Electrical Properties of Metal/Ge Schottky Contacts
复制标题
界面结构对金属/Ge肖特基接触电性能的影响
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and S. Zaima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
O. Nakatsuka;S. Akimoto;T. Nishimura;and S. Zaima
硅化铒肖特基二极管的传导机制
DOI：
10.1063/1.352899
发表时间：
1993
期刊：
影响因子：
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作者：
M. Unewisse;J. Storey
通讯作者：
J. Storey
栅极自对准 N 沟道和 P 沟道锗 Mosfets
DOI：
10.1109/16.158709
发表时间：
1991
期刊：
[1991] 49th Annual Device Research Conference Digest
影响因子：
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作者：
C. Ransom;T. Jackson;J. DeGelormo
通讯作者：
J. DeGelormo
影响因子：
2.3
作者：
Nishimura, Tomonori;Kita, Koji;Toriumi, Akira
通讯作者：
Toriumi, Akira