Interfacial residual stresses in semiconductor devices measured on the nano-scale by cathodoluminescence piezospectroscopy
Interfacial residual stresses in semiconductor devices measured on the nano-scale by cathodoluminescence piezospectroscopy
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通过阴极发光压电光谱法在纳米尺度上测量半导体器件中的界面残余应力
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
G.PEZZOTTI
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A.A.PORPORATI;N.FURUKAWA;W.ZHU;G.PEZZOTTI;G.PEZZOTTI
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在薄活性 GaAs 膜上制造超小型器件
DOI：
10.1116/1.583893
发表时间：
1987
期刊：
影响因子：
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作者：
K. Lee;J. Frost;C. Stanley;W. Patrick;W. Mackie;S. Beaumont;C. Wilkinson
通讯作者：
C. Wilkinson
(100) GaAs 衬底上的 GaxIn1−xP 液相外延生长
DOI：
10.1063/1.330023
发表时间：
1982
期刊：
影响因子：
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作者：
H. Asai;K. Oe
通讯作者：
K. Oe
LO 声子与 GaN 中激发施主态的共振相互作用
DOI：
10.1002/pssb.200301530
发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
--
作者：
A. Wysmołek;M. Potemski;R. Stępniewski;J. Baranowski;D. Look;S. K. Lee;J. Y. Han
通讯作者：
J. Y. Han
DOI：
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
--
作者：
T. Fett
通讯作者：
T. Fett