Fundamental Oscillation of up to 915 GHz in Small-Area InGaAs/AlAs Resonant Tunneling Diodes with Planar Slot Antennas
Fundamental Oscillation of up to 915 GHz in Small-Area InGaAs/AlAs Resonant Tunneling Diodes with Planar Slot Antennas
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具有平面缝隙天线的小面积 InGaAs/AlAs 谐振隧道二极管中高达 915 GHz 的基本振荡
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Yokoyama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M.Shiraishi;S.Suzuki;A.Teranishi;M.Asada;H.Sugiyama;H.Yokoyama
间隔层厚度对谐振隧道二极管静态特性的影响
影响因子：
4
作者：
I. Mehdi;R. Mains;G. Haddad
通讯作者：
G. Haddad
影响因子：
4
作者：
Orihashi, N;Suzuki, S;Asada, M
通讯作者：
Asada, M
具有应变 In0.8Ga0.2As 阱和 AlAs 势垒的 InP 基谐振隧道二极管的金属有机气相外延生长
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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作者：
H. Sugiyama;H. Matsuzaki;Y. Oda;H. Yokoyama;T. Enoki;Takashi Kobayashi
通讯作者：
Takashi Kobayashi