Exploring the Effect of Device Aging on Static Power Analysis Attacks
Exploring the Effect of Device Aging on Static Power Analysis Attacks
复制标题
探索设备老化对静态功率分析攻击的影响
DOI：
10.13154/tches.v2019.i3.233-256
复制
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
A. Moradi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
N. Karimi;T. Moos;A. Moradi
登录
查看更多内容
BTI、HCI 和 TDDB 对触发器的老化影响
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
Microelectronics and reliability
影响因子：
--
作者：
Cicero Nunes;P. Butzen;A. Reis;R. Ribas
通讯作者：
R. Ribas
DOI：
10.1007/978-3-662-48324-4
发表时间：
2015
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
Tim Güneysu;H. Handschuh
通讯作者：
Tim Güneysu;H. Handschuh
协调 IC 测试和安全二分法
DOI：
10.1109/ets.2013.6569368
发表时间：
2013
期刊：
2013 18th IEEE European Test Symposium (ETS)
影响因子：
--
作者：
O. Sinanoglu;Naghmeh Karimi;Jeyavijayan Rajendran;R. Karri;Yier Jin;K. Huang;Y. Makris
通讯作者：
Y. Makris
90 纳米以下 CMOS 密码系统上基于泄漏的差分功耗分析 (LDPA)
DOI：
10.1109/iscas.2008.4541402
发表时间：
2008
期刊：
2008 IEEE International Symposium on Circuits and Systems
影响因子：
--
作者：
Lang Lin;W. Burleson
通讯作者：
W. Burleson
DOI：
10.1007/978-3-319-66787-4
发表时间：
2017
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
Wieland Fischer;N. Homma
通讯作者：
Wieland Fischer;N. Homma