Dark current mechanisms in InxGa1-xAs1-yNy
Dark current mechanisms in InxGa1-xAs1-yNy
复制标题
InxGa1-xAs1-yNy 中的暗电流机制
DOI：
10.1109/leos.2009.5343290
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Tan L
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Tan L
用于控制碰撞电离和相关高场过程的能带结构工程
影响因子：
1.1
作者：
A. Adams
通讯作者：
A. Adams
工作波长为 0.94 μm 的 GaN 雪崩光电二极管
影响因子：
4
作者：
G. Kinsey;D. Gotthold;A. Holmes;B. Streetman;J. Campbell
通讯作者：
J. Campbell
晶格匹配的 (Ga,In)(As,N) 合金的带隙
影响因子：
4
作者：
L. Bellaiche
通讯作者：
L. Bellaiche