Dynamics of InAs/GaAs quantum dot lasers epitaxially grown on Ge or Si substrate
Dynamics of InAs/GaAs quantum dot lasers epitaxially grown on Ge or Si substrate
复制标题
Ge 或 Si 衬底上外延生长的 InAs/GaAs 量子点激光器的动力学
DOI：
10.1088/1674-4926/40/10/101306
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发表时间：
2019-10
影响因子：
5.1
通讯作者：
Zhou Yueguang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang Cheng;Zhou Yueguang
在硅上生长半导体激光源是发展光子集成电路（PICs）的一项关键但具有挑战性的技术。InAs/GaAs量子点（Qdot）激光器成功地解决了III-V材料与Ge或Si之间的失配问题，并展示了高效的激光发射。在本文中，我们回顾了外延生长在Ge或Si上的Qdot激光器的动态特性，并与原生GaAs衬底上的Qdot激光器进行了比较。讨论了线宽展宽因子、激光噪声及其对光反馈、强度调制和锁模操作的敏感性。这些动态特性的研究有助于指导光通信中PICs的设计和光计算。
Growing semiconductor laser sources on silicon is a crucial but challenging technology for developing photonic integrated circuits(PICs). InAs/GaAs quantum dot(Qdot) lasers have successfully circumvented the mismatch problem between III–V materials and Ge or Si, and have demonstrated efficient laser emission. In this paper, we review dynamical characteristics of Qdot lasers epitaxially grown on Ge or Si, in comparison with those of Qdot lasers on native GaAs substrate. We discuss properties of linewidth broadening factor, laser noise and its sensitivity to optical feedback, intensity modulation, as well as mode locking operation. The investigation of these dynamical characteristics is beneficial for guiding the design of PICs in optical communications and optical computations.
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