Interlayer methods for reducing the dislocation density in gallium nitride
Interlayer methods for reducing the dislocation density in gallium nitride
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降低氮化镓位错密度的层间方法
DOI：
10.1016/j.physb.2007.08.170
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
1.7
通讯作者：
Kappers M
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Kappers M
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影响因子：
3.2
作者：
M. Moram;Z. Barber;C. Humphreys;T. Joyce;P. Chalker
通讯作者：
M. Moram;Z. Barber;C. Humphreys;T. Joyce;P. Chalker
通过 InGaN 的选择性岛生长减少 GaN 薄膜的位错
影响因子：
4
作者：
S. Keller;G. Parish;J. Speck;S. Denbaars;U. Mishra
通讯作者：
U. Mishra
使用氮化钪缓冲层在 Si(1 1 1) 上生长无位错 GaN 岛
影响因子：
1.8
作者：
M. Moram;M. Kappers;T. Joyce;P. Chalker;Z. Barber;C. Humphreys
通讯作者：
C. Humphreys
泊松比不确定性对应变 InGaN 层弯曲参数计算的影响
DOI：
10.1557/s1092578300000181
发表时间：
2001
期刊：
Mrs Internet Journal of Nitride Semiconductor Research
影响因子：
--
作者：
S. Stepanov;W. Wang;B. Yavich;V. Bougrov;Y. T. Rebane;Y. Shreter
通讯作者：
Y. Shreter