The resonant III-nitride grating reflector
The resonant III-nitride grating reflector
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谐振III族氮化物光栅反射器
DOI：
10.1088/0960-1317/21/10/105025
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发表时间：
2011-10
影响因子：
2.3
通讯作者：
Hane, Kazuhiro
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang, Yongjin;Wu, Tong;Tanae, Takuma;Zhu, Hongbo;Hane, Kazuhiro
我们在这里报告在硅衬底上制造导模谐振 III 氮化物光栅反射器。除了补偿III族氮化物层的残余应力之外，氧化铪(HfO2)膜还在III族氮化物层的感应耦合等离子体反应离子蚀刻期间充当硬掩模。 III族氮化物光栅下方的硅衬底被蚀刻，因此III族氮化物光栅被释放并自由悬浮在空气中，作为顶部和底部的低折射率材料。受光栅周期、占空比、偏振和有效折射率影响的导模谐振在反射率测量中通过实验进行表征。这些工作开启了在硅衬底上制造谐振III族氮化物结构以用于进一步可调谐III族氮化物光学器件和集成光学器件的可能性。
We report here on the fabrication of a guided-mode resonant III-nitride grating reflector on a silicon substrate. In addition to compensating the residual stress of III-nitride layers, hafnium oxide (HfO2) film also serves as a hard mask during inductively coupled plasma reactive ion etching of III-nitride layers. The silicon substrate underneath the III-nitride gratings is etched and thus the III-nitride gratings are released and freely suspended with air as low refractive index materials on the top and bottom. The guided-mode resonances that are affected by the grating period, duty ratio, polarization and effective refractive index are experimentally characterized in the reflectance measurements. These works open the possibility of fabricating resonant III-nitride structures on the silicon substrate for further tunable III-nitride optical devices and integrated optics.
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