Strain-induced large exciton energy shifts in buckled CdS nanowires.
Strain-induced large exciton energy shifts in buckled CdS nanowires.
复制标题
DOI：
10.1021/nl401860f
复制
发表时间：
2013-08-14
期刊：
影响因子：
10.8
通讯作者：
Agarwal R
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Sun L;Kim DH;Oh KH;Agarwal R
应变工程可用于调整半导体材料的基本性质，以应用于先进的电子和光子器件。最近，大应变对纳米结构性质的影响正在被深入研究，以进一步扩大我们对此类材料的物理和应用的见解。在这封信中，我们提出了可控屈曲硫化镉（CdS）的光学纳米线（NW），这表明非常大的能带隙调谐>250毫电子伏的弹性变形极限内的应变。偏振和空间分辨光学测量揭示了与压缩和拉伸制度相关的特性，而微反射光谱清楚地表明了应变对CdS中不同类型激子的影响。我们的研究结果可以使应变纳米线为基础的光电器件具有可调的光学响应。
Strain engineering can be utilized to tune the fundamental properties of semiconductor materials for applications in advanced electronic and photonic devices. Recently, the effects of large strain on the properties of nanostructures are being intensely investigated to further expand our insights into the physics and applications of such materials. In this letter, we present results on controllable buckled cadmium-sulfide (CdS) optical nanowires (NWs), which show extremely large energy bandgap tuning by >250 meV with applied strains within the elastic deformation limit. Polarization and spatially-resolved optical measurements reveal characteristics related to both compressive and tensile regimes, while micro-reflectance spectroscopy clearly demonstrate the effect of strain on the different types of excitons in CdS. Our results may enable strained NWs-based optoelectronic devices with tunable optical responses.
登录
查看更多内容
弯曲 ZnO 纳米线中的电子和机械耦合
影响因子：
29.4
作者：
Han, Xiaobing;Kou, Liangzhi;Yu, Dapeng
通讯作者：
Yu, Dapeng
影响因子：
56.9
作者：
Khang, DY;Jiang, HQ;Rogers, JA
通讯作者：
Rogers, JA
影响因子：
4
作者：
Huo, Yijie;Lin, Hai;Harris, James S.
通讯作者：
Harris, James S.
超长CdS纳米线的锡催化剂生长和光波导
影响因子：
2.8
作者：
Dai, Guozhang;Wan, Qiang;Zou, Bingsuo
通讯作者：
Zou, Bingsuo
影响因子：
10.8
作者：
Ryu, Seung Yoon;Xiao, Jianliang;Rogers, John A.
通讯作者：
Rogers, John A.