Pilot Assisted Adaptive Thresholding for Sneak-Path Mitigation in Resistive Memories With Failed Selection Devices
Pilot Assisted Adaptive Thresholding for Sneak-Path Mitigation in Resistive Memories With Failed Selection Devices
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用于缓解选择器件故障的电阻存储器中的潜行路径的引导辅助自适应阈值
DOI：
10.1109/tcomm.2019.2948332
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发表时间：
2020
影响因子：
8.3
通讯作者：
Dolecek, Lara
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Chen, Zehui;Schoeny, Clayton;Dolecek, Lara
具有交叉开关结构的阻性随机存取存储器（ReRAM）是用作下一代非易失性存储器件的一个有希望的候选器件。在交叉ReRAM中，忆阻器位于每个行列交叉点上，潜路径问题是可靠读出的主要挑战之一。潜行路径问题可以通过附加的选择设备来解决。当某些选择设备发生短路故障时，潜行路径问题再次发生。本文研究了重复发生的潜行路径问题。重复发生的潜路径事件可以用组合的方法来描述，其不利影响可以用平行干扰来模拟。基于一个简单的试点建设，我们的概率表征单元间的依赖性的重新发生的潜行路径事件。利用这种依赖关系，我们提出了自适应阈值电阻存储器读出方案，使用侧信息提供的试点细胞。这种估计理论方法有效地降低了误码率，同时保持低冗余开销和低复杂度。
Resistive random-access memory (ReRAM) with the crossbar structure is one promising candidate to be used as a next generation non-volatile memory device. In a crossbar ReRAM, in which a memristor is positioned on each row-column intersection, the sneak-path problem is one of the main challenges for a reliable readout. The sneak-path problem can be solved with additional selection devices. When some selection devices fail short, the sneak-path problem re-occurs. The re-occurred sneak-path problem is addressed in this paper. The re-occurred sneak-path event can be described combinatorially and its adverse effect can be modeled as a parallel interference. Based on a simple pilot construction, we probabilistically characterize the inter-cell dependency of the re-occurred sneak-path events. Utilizing this dependency, we propose adaptive thresholding schemes for resistive memory readout using side information provided by pilot cells. This estimation theoretic approach effectively reduces the bit-error rate while maintaining low redundancy overhead and low complexity.
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影响因子：
2.5
作者：
Yuval Cassuto;Shahar Kvatinsky;Eitan Yaakobi
通讯作者：
Yuval Cassuto;Shahar Kvatinsky;Eitan Yaakobi
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--
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--
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--
作者：
Chen, Zehui;Schoeny, Clayton;Dolecek, Lara
通讯作者：
Dolecek, Lara