Surface state conductivity in epitaxially grown Bi1−xSbx(111) films
Surface state conductivity in epitaxially grown Bi1−xSbx(111) films
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外延生长 Bi1âxSbx(111) 薄膜的表面态电导率
DOI：
10.1088/1367-2630/18/9/093012
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发表时间：
2016
影响因子：
3.3
通讯作者：
C. Tegenkamp
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
J. Koch;P. Kröger;H. Pfnür;C. Tegenkamp
首次报道了On-Bix1SBX大块晶体的非平凡表面态。在这项研究中，我们提供了在不同的Sb浓度(高达x=0.22)下在Si(111)上外延生长的Bix1Sbx薄膜(厚度达24 nm)的输运测量结果。对温度依赖性的分析使我们能够区分来自表面带和体带的不同输运通道以及杂质状态。当温度低于30K时，这种输运是由表面态来调节的，而在较高温度下，则通过体相通道来激活输运。表面态电导率和体禁带宽度可以分别随Sb浓度和薄膜厚度的变化而变化。对于薄至4 nm的薄膜，与相同条件下生长的Bi111薄膜相比，表面态输运受到强烈的抑制。由于生长和合金形成过程，杂质通道是本征起源的，并且位于埋藏界面。
Topologically non-trivial surface states were reportedfirst on-Bi x 1 Sbx bulk crystals. In this study we present transport measurements performed on thin-Bi x 1 Sbx-films (up to 24 nm thickness) grown epitaxially on Si (111) with various Sb-concentrations (up tox= 0.22). The analysis of the temperature dependency allowed us to distinguish between different transport channels originating from surface and bulk bands as well as impurity states. At temperatures below 30 K the transport is mediated by surface states while at higher temperatures activated transport via bulk channels sets in. The surface state conductivity and bulk band gaps can be tuned by the Sb-concentration andfilm thickness, respectively. Forfilms as thin as 4 nm the surface state transport is strongly suppressed in contrast to Bi (111) films grown under identical conditions. The impurity channel is of intrinsic origin due to the growth and alloy formation process and turns out to be located at the buried interface.
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DOI：
--
发表时间：
1969
期刊：
影响因子：
--
作者：
K. Berchtold;D. Huber
通讯作者：
D. Huber
影响因子：
56.9
作者：
Xu, Su-Yang;Belopolski, Ilya;Hasan, M. Zahid
通讯作者：
Hasan, M. Zahid
影响因子：
3.7
作者：
D. Luekermann;S. Sologub;H. Pfnuer;C. Klein;M. H. Hoegen;C. Tegenkamp
通讯作者：
D. Luekermann;S. Sologub;H. Pfnuer;C. Klein;M. H. Hoegen;C. Tegenkamp
不同生长方向的Bi 1-x Sb x 薄膜的相图
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
Shuang Tang;M. Dresselhaus
通讯作者：
M. Dresselhaus
DOI：
--
发表时间：
1990
期刊：
影响因子：
--
作者：
D. Morelli;D. L. Partin;J. Heremans
通讯作者：
J. Heremans