A High-Reliability RF MEMS Metal-Contact Switch Based on Al-Sc Alloy.
A High-Reliability RF MEMS Metal-Contact Switch Based on Al-Sc Alloy.
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DOI：
10.3390/mi14061098
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发表时间：
2023-05-23
期刊：
影响因子：
3.4
通讯作者：
Wei, Tongbo
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Hou, Zhongxuan;Zhang, Yongkang;Si, Chaowei;Han, Guowei;Zhao, Yongmei;Lu, Xiaorui;Liu, Jiahui;Ning, Jin;Wei, Tongbo
提出了一种基于铝钪合金的金属接触RF MEMS开关。采用Al-Sc合金代替传统的Au-Au触点，可以大大提高触点的硬度，从而提高开关的可靠性。采用多层堆叠结构，以实现低开关线电阻和硬接触表面。聚酰亚胺牺牲层工艺的开发和优化，和RF开关的制造和测试的吸合电压，S参数，和开关时间。该开关在0.1-6 GHz频率范围内具有24 dB以上的高隔离度和小于0.9 dB的低插入损耗。
This paper presents a new metal-contact RF MEMS switch based on an Al-Sc alloy. The use of an Al-Sc alloy is intended to replace the traditional Au-Au contact, which can greatly improve the hardness of the contact, and thus improve the reliability of the switch. The multi-layer stack structure is adopted to achieve the low switch line resistance and hard contact surface. The polyimide sacrificial layer process is developed and optimized, and the RF switches are fabricated and tested for pull-in voltage, S-parameters, and switching time. The switch shows high isolation of more than 24 dB and a low insertion loss of less than 0.9 dB in the frequency range of 0.1–6 GHz.
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DOI：
10.1088/0960-1317/22/10/105027
发表时间：
2012-10-01
影响因子：
2.3
作者：
de Boer, M. P.;Czaplewski, D. A.;Ohlhausen, J. A.
通讯作者：
Ohlhausen, J. A.
DOI：
10.1109/tmtt.2010.2097693
发表时间：
2011-05-01
影响因子：
4.3
作者：
Patel, Chirag D.;Rebeiz, Gabriel M.
通讯作者：
Rebeiz, Gabriel M.
影响因子：
4.6
作者：
Seki, T.;Uno, Y.;Sugiyama, S.
通讯作者：
Sugiyama, S.
影响因子：
2.7
作者：
Ke, Feixiang;Miao, Jianmin;Oberhammer, Joachim
通讯作者：
Oberhammer, Joachim
影响因子：
3.2
作者：
Chen, L.;Lee, H.;Adams, G. G.
通讯作者：
Adams, G. G.