Anisotropic lattice coherency of GaAs nanocrystals deposited on Si(100) surface by molecular beam epitaxy
Anisotropic lattice coherency of GaAs nanocrystals deposited on Si(100) surface by molecular beam epitaxy
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分子束外延沉积在 Si(100) 表面的 GaAs 纳米晶的各向异性晶格相干性
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Hiroyuki Usui
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hiroyuki Usui Hidehiro Yasuda;and Hirotaro Mori;Hiroyuki Usui;Hiroyuki Usui
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DOI：
10.1143/jjap.42.4166
发表时间：
2003-06-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS
影响因子：
--
作者：
Kaizu, T;Yamaguchi, K
通讯作者：
Yamaguchi, K
Ge/Si(1 0 0)纳米岛的微观结构演化
影响因子：
1.8
作者：
David J. Smith;D. Chandrasekhar;S. Chaparro;P. Crozier;J. Drucker;M. Floyd;M. McCartney;Y. Zhang
通讯作者：
Y. Zhang
应变外延生长过程中团簇的平衡尺寸分布
DOI：
10.1016/s0921-5107(99)00206-8
发表时间：
1999
影响因子：
3.6
作者：
G. Medeiros;T. Kamins;D. Ohlberg;R. S. Williams
通讯作者：
R. S. Williams
Ge/Si(100) 岛中的应变消除机制
DOI：
10.1016/s0921-5107(02)00663-3
发表时间：
2003
影响因子：
3.6
作者：
G. Capellini;M. Seta;F. Evangelisti;C. Spinella
通讯作者：
C. Spinella
DOI：
10.1143/jjap.40.1885
发表时间：
2001-03-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS
影响因子：
--
作者：
Kaizu, T;Yamaguchi, K
通讯作者：
Yamaguchi, K