Monolithically p-down nitride laser diodes and LEDs obtained by MBE using buried tunnel junction design
Monolithically p-down nitride laser diodes and LEDs obtained by MBE using buried tunnel junction design
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采用埋入式隧道结设计通过 MBE 获得单片 p-down 氮化物激光二极管和 LED
DOI：
10.1117/12.2548996
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Xing, Huili
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Turski, Henryk;Bharadwaj, Shyam;Siekacz, Marcin;Muziol, Grzegorz;Chlipala, Mikolaj;Zak, Mikolaj;Hajdel, Mateusz;Nowakowski-Szkudlarek, Krzesimir;Stanczyk, Szymon;Xing, Huili
提出了一种利用底隧结实现高效发光的新方法。底部隧道结的设计使偏振场在量子阱附近沿期望的方向排列，同时消除了p型触点的需要，并允许有效的电流扩散。通过防止电子越过量子阱，它可以阻止异质结构中不需要的区域的载流子重组，从而提高注入效率并为异质结构设计开辟新的可能性。利用基于GaN的埋隧道结，在n型镓极体GaN衬底上构建了首个单片生长的p型激光器。讨论了这种结构的独特优点，使载流子注入和光模约束的设计能够在这种激光二极管结构中分离出来。
New approach towards efficient light emission with bottom-tunnel junctions is developed. The bottom-tunnel junction design aligns the polarization fields in a desired direction in the vicinity of quantum well, while simultaneously eliminating the need for p-type contacts, and allowing efficient current spreading. By preventing electron overshoot past quantum wells, it disables carrier recombination in undesired regions of the heterostructures, increasing injection efficiency and opening new possibilities in heterostructure design. InGaN-based buried-tunnel junction is used to construct first monolithically grown p-type-down laser diode on n-type, Ga-polar bulk GaN substrate. Unique advantages of such construction that enables to separate design of carrier injection and optical mode confinement for such laser diode structures is discussed.
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