Inhomogeneously broadened optical gain spectra of InGaN quantum well laser diodes
Inhomogeneously broadened optical gain spectra of InGaN quantum well laser diodes
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InGaN量子阱激光二极管的非均匀展宽光学增益光谱
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
外4名
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Kojima;M. Funato;and Y. Kawakami;外4名
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DOI：
10.1002/pssa.201700513
发表时间：
2018-05-23
影响因子：
2
作者：
Murayama, Masahiro;Nakayama, Yusuke;Narui, Hironobu
通讯作者：
Narui, Hironobu
GaAs-AlAs量子阱结构中的一种原子层异质界面涨落及其在分子束外延中插入平滑周期的抑制
影响因子：
1.5
作者：
H. Sakaki;Masaaki Tanaka;J. Yoshino
通讯作者：
J. Yoshino
通过等离子体辅助分子束外延生长的 III 族氮化物激光二极管具有极长的使用寿命
影响因子：
4.1
作者：
G. Muzioł;M. Siekacz;K. Nowakowski;M. Hajdel;J. Smalc;A. Feduniewicz;E. Grzanka;P. Wolny;H. Turski;P. Wiśniewski;P. Perlin;C. Skierbiszewski
通讯作者：
C. Skierbiszewski
单宽量子阱InGaN激光二极管的反常温度特性
影响因子：
4
作者：
T. Swietlik;G. Franssen;P. Wiśniewski;S. Krukowski;S. P. Łepkowski;L. Marona;M. Leszczynski;P. Prystawko;I. Grzegory;T. Suski;S. Porowski;P. Perlin;R. Czernecki;A. Bering;P. Eliseev
通讯作者：
P. Eliseev
影响因子：
4
作者：
DEVEAUD, B;EMERY, JY;BAUDET, M
通讯作者：
BAUDET, M