Marked reduction in photocarrier lifetime by erbium doping into self-assembled InAs quantum dots embedded in strain-relaxed InGaAs barriers
Marked reduction in photocarrier lifetime by erbium doping into self-assembled InAs quantum dots embedded in strain-relaxed InGaAs barriers
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通过将铒掺杂到嵌入应变松弛 InGaAs 势垒中的自组装 InAs 量子点中，光载流子寿命显着缩短
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2010.10.120
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发表时间：
2011
影响因子：
1.8
通讯作者：
T. Isu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Kitada;T. Takahashi;H. Ueyama;K. Morita;T. Isu
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基于ErAs:InGaAs的1.55μm超快光电导开关
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
F. Ospald;D. Maryenko;K. Klitzing;D. Driscoll;M. Hanson;Hong Lu;A. Gossard;J. Smet
通讯作者：
J. Smet
影响因子：
4
作者：
R. Prasanth;J. Haverkort;A. Deepthy;Ew Erik Bogaart;van der Tol;Ea Evgeni Patent;G. Zhao;Qian Gong;van Pj René Veldhoven;R. Noetzel;Jh Joachim Wolter
通讯作者：
R. Prasanth;J. Haverkort;A. Deepthy;Ew Erik Bogaart;van der Tol;Ea Evgeni Patent;G. Zhao;Qian Gong;van Pj René Veldhoven;R. Noetzel;Jh Joachim Wolter
双光子谐振非线性响应无图案效应的 AlGaAs/AlAs 多层结构的光学克尔门开关
DOI：
10.1002/pssc.200564114
发表时间：
2006
期刊：
Physica Status Solidi (c)
影响因子：
--
作者：
T. Isu;K. Akiyama;N. Tomita;T. Nishimura;Y. Nomura;K. Kanamoto
通讯作者：
K. Kanamoto
分子束外延生长应变松弛 InGaAs 势垒的 InAs 量子点中掺杂对光载流子寿命的影响
DOI：
10.1016/j.physe.2009.11.015
发表时间：
2010
期刊：
Physica E,
影响因子：
--
作者：
Takahiro Kitada;Akari Mukaijo;Tomoya Takahashi;Takuya Mukai;Ken Morita;Toshiro Isu
通讯作者：
Toshiro Isu
通过提高 GaAs/AlAs 多层腔中的品质因数显着增强光学克尔信号
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
Ken Morita;et al.
通讯作者：
et al.