Recombination mechanisms in heteroepitaxial non-polar InGaN/GaN quantum wells
Recombination mechanisms in heteroepitaxial non-polar InGaN/GaN quantum wells
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异质外延非极性InGaN/GaN量子阱中的复合机制
DOI：
10.1063/1.4731730
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发表时间：
2012
影响因子：
3.2
通讯作者：
Badcock T
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Badcock T
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r 面蓝宝石上生长的 a 面 GaN 的应变各向异性
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
Bei Ma;Hedeto Miyake;Kazumasa. Hiramatsu;Hiroshi Harima
通讯作者：
Hiroshi Harima
位错密度和表面形貌对 r 面蓝宝石衬底上生长的 InGaN/GaN 量子阱光学性能的影响
影响因子：
1.5
作者：
Badcock T
通讯作者：
Badcock T
非极性衬底上生长的 GaN/AlGaN 量子阱的光学特性
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
T. Badcock;P. Dawson;M. Kappers;C. McAleese;J. Hollander;C. Johnston;D. S. Rao;A. Sánchez;C. Humphreys
通讯作者：
C. Humphreys
通过皮秒光和阴极发光探测 a 面 (Al,Ga)N/GaN 量子阱中的激子复合动力学
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
P. Corfdir;P. Lefebvre;L. Balet;S. Sonderegger;A. Dussaigne;T. Zhu;D. Martin;J. Ganiére;N. Grandjean;B. Deveaud
通讯作者：
B. Deveaud