The Effect of Dislocation Density and Surface Morphology on the Optical Properties of InGaN/GaN Quantum Wells Grown on r-Plane Sapphire Substrates
The Effect of Dislocation Density and Surface Morphology on the Optical Properties of InGaN/GaN Quantum Wells Grown on r-Plane Sapphire Substrates
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位错密度和表面形貌对 r 面蓝宝石衬底上生长的 InGaN/GaN 量子阱光学性能的影响
DOI：
10.1143/jjap.50.080201
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发表时间：
2011
影响因子：
1.5
通讯作者：
Badcock T
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Badcock T
研究了生长在r面蓝宝石衬底上的非极性InGaN/GaN多量子威尔斯阱的光学性质与穿透位错密度的关系。6 K发射光谱由3.25 eV处的峰和以2.64 eV为中心的宽带组成。从显微镜和阴极发光研究，较高的能量峰被分配到位于（1120）平面上的量子威尔斯内的复合被基面堆垛层错包围。较低的能带归因于来自不同宽度和组成的侧壁量子威尔斯的发射，所述侧壁量子阱形成在量子阱生长期间形成的结构缺陷的各种半极性面上。
The optical properties of non-polar InGaN/GaN multiple quantum wells grown on r-plane sapphire substrates are investigated as a function of threading dislocation density. The 6 K emission spectrum consists of a peak at 3.25 eV and a broad band centred around 2.64 eV. From microscopy and cathodoluminescence studies, the higher energy peak is assigned to recombination within quantum wells lying on the (1120) plane which are intersected by basal-plane stacking faults. The lower energy band is attributed to emission from sidewall quantum wells of varying width and composition which form on the various semi-polar facets of structural defects that develop during the quantum well growth.
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DOI：
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通讯作者：
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