Heat Generation and Temperature Distribution of SiC Power MOSFET Using Electro-Thermal Analysis
Heat Generation and Temperature Distribution of SiC Power MOSFET Using Electro-Thermal Analysis
复制标题
使用电热分析研究 SiC 功率 MOSFET 的发热和温度分布
DOI：
--
复制
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
N. Unno and M. Ishizuka
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
R. Kibushi;T. Hatakeyama;K. Yuki;N. Unno and M. Ishizuka
具有 4.9 MW/cm2 功率密度处理能力的 4H-SiC 双极结晶体管的功耗和高温操作分析
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.457-460.1121
发表时间：
2004
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
I. Perez;J. Torvik;B. van Zeghbroeck
通讯作者：
B. van Zeghbroeck
使用电热分析估算功率 Si MOSFET 的发热情况
DOI：
10.1115/ipack2013-73273
发表时间：
2013
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
R. Kibushi;T. Hatakeyama;M. Ishizuka
通讯作者：
M. Ishizuka
电热分析法分析功率硅MOSFET的热点温度
DOI：
10.1109/impact.2013.6706628
发表时间：
2013
期刊：
2013 8th International Microsystems, Packaging, Assembly and Circuits Technology Conference (IMPACT)
影响因子：
--
作者：
R. Kibushi;T. Hatakeyama;S. Nakagawa;M. Ishizuka
通讯作者：
M. Ishizuka