Electronic structure of the Si(110)-(16A2) surface : High-resolution ARPES and STM investigation

Electronic structure of the Si(110)-(16A2) surface : High-resolution ARPES and STM investigation
复制标题

Si(110)-(16A2) 表面的电子结构:高分辨率 ARPES 和 STM 研究

DOI:
--
复制
发表时间:
2009
期刊:
Physical Review B 79
影响因子:
--
通讯作者:
R. I. G. Uhrberg
R. I. G. Uhrberg
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
Kazuyuki Sakamoto;Martin Setvin;Kenji Mawatari;P. E. J. Eriksson;Kazushi Miki;R. I. G. Uhrberg

文献摘要

参考文献

被引文献

相似文献

通过 RHEED、XPS 和 STM 研究清洁和金属污染的 Si(110) 表面
DOI: 10.1111/j.1365-2818.1988.tb01412.x
发表时间: 1870
影响因子: 2
作者:
E. Loenen;D. Dijkkamp;A. Hoeven
通讯作者: A. Hoeven
DOI: 10.1103/physrevlett.70.1643
发表时间: 1993-03-15
影响因子: 8.6
作者:
EAGLESHAM, DJ;WHITE, AE;JACOBSON, DC
通讯作者: JACOBSON, DC
DOI: 10.1103/physrevb.70.045305
发表时间: 2004-07-01
期刊: PHYSICAL REVIEW B
影响因子: 3.7
作者:
Stekolnikov, AA;Furthmüller, J;Bechstedt, F
通讯作者: Bechstedt, F
DOI: 10.1016/s0039-6028(00)00773-1
发表时间: 2000
期刊: Surface Science
影响因子: 1.9
作者:
Y. Yamamoto;T. Sueyoshi;Tomoshige Sato;M. Iwatsuki
通讯作者: M. Iwatsuki
Si(110)5×2−Au:金属链结构
DOI: 10.1103/physrevb.72.035446
发表时间: 2005
期刊: Physical Review B
影响因子: 3.7
作者:
J. McChesney;J. Crain;F. Himpsel;R. Bennewitz
通讯作者: R. Bennewitz