Photo-Seebeck measurement of Bi-doped amorphous germanium telluride oxide film
Photo-Seebeck measurement of Bi-doped amorphous germanium telluride oxide film
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Bi掺杂非晶碲化锗氧化物薄膜的光塞贝克测量
DOI：
10.1007/s10854-023-10072-y
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Gholizadeh A
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Gholizadeh A
本文研究了含氧和Bi离子注入的n型非晶碲化锗薄膜（100 nm）在1800 ~ 400 nm的暗光和单色光条件下的Seebeck测量。Bi掺杂的膜具有负的塞贝克系数，表明与p型未掺杂的膜相比，由注入导致的其n型性质。在用横跨近红外和可见光区域的单色光照射时，所测量的塞贝克电压的幅度增加（变得更负）。塞贝克系数的这种增加在不同的光谱区域中显示出独特的行为，并且是由作为外来杂质的Bi离子的包含引起的。此外，塞贝克系数用于确定膜的电性能，并使沿着与互补的表征，包括X射线光电子能谱，电子能带图提出之前和之后的Bi离子注入。光塞贝克技术是利用第一次探测由于注入产生的陷阱状态，提供了一个非平衡载流子类型反转在非晶系统背后的机制的理解，包括修改电子和光电性能，如光学带隙。
Seebeck measurements of n-type amorphous germanium telluride thin films (100 nm) containing oxygen and implanted with Bismuth (Bi) have been studied under dark and monochromatic light conditions from 1800 to 400 nm. The Bi-doped film has a negative Seebeck coefficient indicating its n-type nature that results from the implantation compared to the p-type undoped films. Upon illumination with monochromatic light across the near-infrared and visible region the magnitude of the measured Seebeck voltage increases (becomes more negative). This increase in Seebeck coefficient displays distinctive behaviours in different spectral regions and is caused by the inclusion of Bi ions as foreign impurities. Furthermore, the Seebeck coefficients are used to determine the film electrical properties and enable, along with complementary characterisation including X-ray photoelectron spectroscopy, electronic band diagrams to be proposed for before and after Bi ion implantation. The photo-Seebeck technique is utilised for the first time to probe the trap states created due to the implantation, providing an understanding of the mechanisms behind non-equilibrium carrier-type reversal in an amorphous system, including the modification of electronic and optoelectronic properties such as the optical bandgap.
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DOI：
10.1007/978-0-387-29185-7
发表时间：
2007-03
期刊：
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影响因子：
--
作者：
C. Koughia;S. Kasap;P. Capper
通讯作者：
C. Koughia;S. Kasap;P. Capper
p+ GaAs 掺杂引起的价带边缘偏移
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发表时间：
1991
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J. Woodall
X 射线和紫外光电发射测定非晶态和晶态 GeTe 的价带
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发表时间：
1973
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作者：
N. J. Shevchik;J. Tejeda;D. Langer;M. Cardona
通讯作者：
M. Cardona
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发表时间：
1980
期刊：
影响因子：
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作者：
N. Tohge;T. Minami;Y. Yamamoto;Masami Tanaka
通讯作者：
Masami Tanaka
影响因子：
10.8
作者：
Michel, Ann-Katrin U.;Chigrin, Dmitry N.;Taubner, Thomas
通讯作者：
Taubner, Thomas