Type-II recombination dynamics of tensile-strained GaP quantum dots in GaAs grown by droplet epitaxy
Type-II recombination dynamics of tensile-strained GaP quantum dots in GaAs grown by droplet epitaxy
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液滴外延生长的 GaAs 中拉伸应变 GaP 量子点的 II 型复合动力学
DOI：
10.1063/1.4965873
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发表时间：
2016
影响因子：
4
通讯作者：
Takashi Kuroda
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Patchareewan Prongjit;Somchai Ratanathammaphan;Neul Ha;Takaaki Mano;Kazuaki Sakoda;Takashi Kuroda
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GaAs(110) 阶梯边缘处的拉伸应变岛生长
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
P. Simmonds;M. Lee
通讯作者：
M. Lee
GaSb 基体中张应变 GaAs 量子点的电子离域
影响因子：
3.2
作者：
Ta;Yue;L. C. Li;Y. Sung;Sheng;L. Chang;Y. Suen;Chien
通讯作者：
Chien
影响因子：
3.7
作者：
Kuroda, T;Mano, T;Koguchi, N
通讯作者：
Koguchi, N
影响因子：
3.5
作者：
Mano, T.;Abbarchi, M.;Gurioli, M.
通讯作者：
Gurioli, M.
aGaAsxSb1−x 矩阵中的拉伸应变 GaAs 量子阱和量子点
影响因子：
3.7
作者：
A. Toropov;O. Lyublinskaya;B. Meltser;V. A. Solov'ev;A. Sitnikova;M. Nestoklon;O. V. Rykhova;S. Ivanov;K. Thonke;R. Sauer
通讯作者：
R. Sauer