Self-organaized InGaAs quantum dots grown on GaAs(311)B substrat studied by conductive atomic force microscope technique.
Self-organaized InGaAs quantum dots grown on GaAs(311)B substrat studied by conductive atomic force microscope technique.
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通过导电原子力显微镜技术研究在 GaAs(311)B 衬底上生长的自组织 InGaAs 量子点。
DOI：
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y.Okada
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Okada
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