GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers with MOVPE-grown AlInN/GaN DBRs
GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers with MOVPE-grown AlInN/GaN DBRs
复制标题
具有 MOVPE 生长的 AlInN/GaN DBR 的 GaN 垂直腔表面发射激光器
DOI：
--
复制
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
and I. Akasaki
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Takeuchi;S. Kamiyama;M. Iwaya;and I. Akasaki
登录
查看更多内容
影响因子：
2.3
作者：
Izumi, Shouichiro;Fuutagawa, Noriyuki;Narui, Hironobu
通讯作者：
Narui, Hironobu
通过用作边缘发射激光二极管中的 n 型熔覆层的 AlInN/GaN 多层材料进行电流传输
DOI：
10.1002/pssc.201001165
发表时间：
2011
期刊：
Physica Status Solidi (c)
影响因子：
--
作者：
R. Charash;H. Kim;A. Vajpeyi;Mahbuba Akther;P. Maaskant;É. Frayssinet;P. Mierry;J. Duboz;B. Corbett
通讯作者：
B. Corbett
DOI：
10.1557/opl.2015.402
发表时间：
2015
期刊：
MRS Proceedings
影响因子：
--
作者：
Yugo Kozuka;Kazuki Ikeyama;Toshiki Yasuda;T. Takeuchi;S. Kamiyama;M. Iwaya;I. Akasaki
通讯作者：
Yugo Kozuka;Kazuki Ikeyama;Toshiki Yasuda;T. Takeuchi;S. Kamiyama;M. Iwaya;I. Akasaki
具有 AlInN/GaN DBR 的 GaInN VCSEL
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
T. Takeuchi;S. Kamiyama;M. Iwaya;and I. Akasaki
通讯作者：
and I. Akasaki