Formation of Si/SiC Heterostructures on Si(100) by Hot-Filament-Assisted CH3SiH3 Gas Jet Chemical Vapor Deposition
Formation of Si/SiC Heterostructures on Si(100) by Hot-Filament-Assisted CH3SiH3 Gas Jet Chemical Vapor Deposition
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热丝辅助 CH3SiH3 气体喷射化学气相沉积在 Si(100) 上形成 Si/SiC 异质结构
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T.Motooka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R.Ohtani;Y.Ikoma;T.Motooka
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通过 SiC/Si-dot/SiC 异质结构的空穴共振隧穿
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.389-393.751
发表时间：
2002
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
Y. Ikoma;K. Uchiyama;F. Watanabe;T. Motooka
通讯作者：
T. Motooka
DOI：
10.1143/jjap.38.l301
发表时间：
1999-03-15
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS
影响因子：
--
作者：
Ikoma, Y;Endo, T;Motooka, T
通讯作者：
Motooka, T
单气源CH_3SiH_3超音速自由射流在Si(100)上形成SIC/Si多层结构
DOI：
--
发表时间：
2004
期刊：
Materials Science Forum 457-460
影响因子：
--
作者：
Y.Ikoma;R.Ohtani;T.Motooka
通讯作者：
T.Motooka
超音速自由射流生长 3C-SiC/Si 多层异质结构
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.338-342.265
发表时间：
2000
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
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作者：
Y. Ikoma;T. Endo;T. Tada;F. Watanabe;T. Motooka
通讯作者：
T. Motooka
SiC/Si-dot/SiC谐振隧道二极管的形成及电流电压特性
DOI：
10.4028/www.scientific.net/ssp.78-79.157
发表时间：
2001
期刊：
Solid State Phenomena
影响因子：
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作者：
Y. Ikoma;T. Tada;K. Uchiyama;F. Watanabe;T. Motooka
通讯作者：
T. Motooka