Diamond transistor with a hexagonal boron nitride gate insulator
Diamond transistor with a hexagonal boron nitride gate insulator
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具有六方氮化硼栅极绝缘体的金刚石晶体管
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
内橋 隆
中科院分区：
文献类型：
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作者：
山口 尚秀;笹間 陽介;蔭浦 泰資;井村 将隆;渡邊 賢司;谷口 尚;内橋 隆
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使用电容-电压和电导-频率测量研究金刚石 MOS 结构的异质界面特性
影响因子：
4.1
作者：
N. Saha;M. Kasu
通讯作者：
M. Kasu
增强型氢化金刚石 MOSFET
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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作者：
Jiangwei Liu;Meiyong Liao;Masataka Imura; Yasuo Koide
通讯作者：
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影响因子：
4
作者：
Tsubasa Matsumoto;H. Kato;T. Makino;M. Ogura;D. Takeuchi;S. Yamasaki;T. Inokuma;N. Tokuda
通讯作者：
Tsubasa Matsumoto;H. Kato;T. Makino;M. Ogura;D. Takeuchi;S. Yamasaki;T. Inokuma;N. Tokuda
具有混合金属氧化物保护膜的稳定、低电阻、1.5 至 3.5 kΩ sq−1、金刚石表面传导
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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作者：
M. Geis;J. Varghese;M. Hollis;Y. Yichen;R. Nemanich;C. H. Wuorio;Xi Zhang;G. Turner;Shireen Warnock;S. Vitale;R. Molnar;T. Osadchy;B. Zhang
通讯作者：
B. Zhang
影响因子：
64.8
作者：
A. Zibrov;C. Kometter;Haoxin Zhou;E. Spanton;T. Taniguchi;Kenji Watanabe;M. Zaletel;A. Young
通讯作者：
A. Zibrov;C. Kometter;Haoxin Zhou;E. Spanton;T. Taniguchi;Kenji Watanabe;M. Zaletel;A. Young