Enhancement-mode hydrogenated diamond MOSFETs
Enhancement-mode hydrogenated diamond MOSFETs
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增强型氢化金刚石 MOSFET
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yasuo Koide
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Jiangwei Liu;Meiyong Liao;Masataka Imura; Yasuo Koide
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影响因子：
1.5
作者：
H. Umezawa;T. Arima;N. Fujihara;H. Taniuchi;H. Ishizaka;M. Tachiki;C. Wild;P. Koidl;H. Kawarada
通讯作者：
H. Umezawa;T. Arima;N. Fujihara;H. Taniuchi;H. Ishizaka;M. Tachiki;C. Wild;P. Koidl;H. Kawarada
影响因子：
4
作者：
Liu, J. W.;Liao, M. Y.;Koide, Y.
通讯作者：
Koide, Y.
直接在 H 封端半导体金刚石上组装高介电常数薄 TiOx 层
影响因子：
4
作者：
Shi, Baogui;Gu, Changzhi;Koide, Yasuo;Ye, Haitao
通讯作者：
Ye, Haitao
HfO2/In0.53Ga0.47As 界面处的陷阱态密度分析
影响因子：
4
作者：
Y. Hwang;R. Engel;N. Rudawski;S. Stemmer
通讯作者：
S. Stemmer
影响因子：
4.1
作者：
Liu, Jiangwei;Liao, Meiyong;Koide, Yasuo
通讯作者：
Koide, Yasuo