Effect of residual impurities on transport properties of β-FeSi2 epitaxial films grown by molecular beam epitaxy
Effect of residual impurities on transport properties of β-FeSi2 epitaxial films grown by molecular beam epitaxy
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残留杂质对分子束外延生长β-FeSi2外延薄膜输运性能的影响
DOI：
10.1063/1.4731246
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发表时间：
2012
影响因子：
3.2
通讯作者：
K. Noda
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y. Terai;K. Noda
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影响因子：
2.1
作者：
Y. Maeda;Y. Terai;M. Itakura;N. Kuwano
通讯作者：
Y. Maeda;Y. Terai;M. Itakura;N. Kuwano
Co掺杂β-FeSi2单晶的输运特性
影响因子：
3.2
作者：
E. Arushanov;K. Lisunov;H. Vinzelberg;G. Behr;J. Schumann
通讯作者：
J. Schumann
影响因子：
3.7
作者：
Arushanov, K;Lisunov, KG;Bucher, E
通讯作者：
Bucher, E
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通讯作者：
A. Heinrich
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影响因子：
1.4
作者：
P. Muret;I. Ali
通讯作者：
I. Ali