A Three-Dimensional MOS Transistor Formation Technique with Crystallographic Orientation-Dependent TMAH Etchant
A Three-Dimensional MOS Transistor Formation Technique with Crystallographic Orientation-Dependent TMAH Etchant
复制标题
采用依赖于晶体取向的 TMAH 蚀刻剂的三维 MOS 晶体管形成技术
DOI：
--
复制
发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T.Masuda
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
H.Sunami;T.Furukawa;T.Masuda
用于兆位动态 MOS 存储器的波纹电容器单元 (CCC)
影响因子：
4.9
作者：
H. Sunami;T. Kure;N. Hashimoto;K. Itoh;T. Toyabe;S. Asai
通讯作者：
S. Asai
波纹电容器单元 (CCC)
影响因子：
3.1
作者：
H. Sunami;T. Kure;N. Hashimoto;K. Itoh;T. Toyabe;S. Asai
通讯作者：
S. Asai
升压栅MOS（BGMOS）：器件/电路合作方案，实现无漏电千兆级集成
DOI：
10.1109/cicc.2000.852696
发表时间：
2000
期刊：
Proceedings of the IEEE 2000 Custom Integrated Circuits Conference (Cat. No.00CH37044)
影响因子：
--
作者：
T. Inukai;M. Takamiya;Kouichi Nose;H. Kawaguchi;T. Hiramoto;T. Sakurai
通讯作者：
T. Sakurai