Parameters of fast and high-yield InAs/GaAs quantum dot semiconductor scintillator
Parameters of fast and high-yield InAs/GaAs quantum dot semiconductor scintillator
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快速高产InAs/GaAs量子点半导体闪烁体参数
DOI：
10.1557/s43580-021-00019-y
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0.8
通讯作者：
Oktyabrsky, S.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Minns, A.;Dropiewski, K.;Yakimov, M.;Tokranov, V.;Hedges, M.;Murat, P.;Oktyabrsky, S.
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DOI：
10.1016/j.nima.2018.10.150
发表时间：
2018
期刊：
Detectors and Associated Equipment
影响因子：
--
作者：
Dropiewski, K.;Minns, A.;Yakimov, M.;Tokranov, V.;Murat, P.;Oktyabrsky, S.
通讯作者：
Oktyabrsky, S.
集成半导体量子点闪烁探测器：速度和光产额的极限
影响因子：
1.8
作者：
S. Oktyabrsky;M. Yakimov;V. Tokranov;P. Murat
通讯作者：
P. Murat
用于超快闪烁体的 InAs 量子点/GaAs 波导的光学特性
影响因子：
3.6
作者：
Dropiewski, K.;Minns, A.;Yakimov, M.;Tokranov, V.;Murat, P.;Oktyabrsky, S.
通讯作者：
Oktyabrsky, S.
DOI：
10.1016/j.nima.2015.07.033
发表时间：
2016-01-01
期刊：
Nuclear instruments & methods in physics research. Section A, Accelerators, spectrometers, detectors and associated equipment
影响因子：
--
作者：
Derenzo SE;Bourret-Courshesne E;Bizarri G;Canning A
通讯作者：
Canning A
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. Luryi
通讯作者：
S. Luryi