Contribution of the metal/SiO2 interface potential to photoinduced switching in molecular single-electron tunneling junctions
Contribution of the metal/SiO2 interface potential to photoinduced switching in molecular single-electron tunneling junctions
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金属/SiO2界面电势对分子单电子隧道结光致开关的贡献
DOI:
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发表时间:
2005
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
Yutaka Noguchi
中科院分区:
文献类型:
--
作者:
H.Shiku;et al.;野口 裕;Yutaka Noguchi;T.Matsue et al.;Yutaka Noguchi
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影响因子:
2.1
作者:
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4
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DOI:
--
发表时间:
2003
期刊:
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--
作者:
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M. Iwamoto
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3.2
作者:
J. H. Thomas
通讯作者:
J. H. Thomas