Remarkable room‐temperature magnetoresistance in silicon strip devices
Remarkable room‐temperature magnetoresistance in silicon strip devices
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硅带器件中具有显着的室温磁阻
DOI：
10.1002/pssr.201600253
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发表时间：
2017-01
影响因子：
2.8
通讯作者：
Junshuai Li
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Guo Hui;Lei Cui;Yali Li;Qiang Chen;Xiaolong Fan;Fangcong Wang;Junshuai Li
在本文中，我们报道了硅片器件中显著的室温磁电阻(MR)。基于1个顶部触点和10个顶部触点的测量配置，可以分别实现饱和和非饱和MRS。使用
In this paper, we report remarkable room‐temperature magnetoresistance (MR) in silicon strip devices. Saturating and non‐saturating MRs can be realized based on the measuring configurations with one top contact and ten top contacts, respectively. Using th
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