Extremely large Er excitation cross section in Er,O-codoped GaAs light emitting diodes grown by organometallic vapor phase epitaxy
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有机金属气相外延法生长的 Er,O 共掺杂 GaAs 发光二极管具有极大的 Er 激发截面
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Y.Takeda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Fujiwara;A.Koizumi;K.Inoue;A.Urakami;T.Yoshikane;Y.Takeda
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含氧气氛下金属有机化学气相沉积在 GaAs 中选择性形成高效 Er-O 发光中心
影响因子：
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作者：
K. Takahei;A. Taguchi
通讯作者：
A. Taguchi
有机金属气相外延生长的Er,O共掺杂III-V族半导体的发光特性
影响因子：
2.8
作者：
Y. Fujiwara;T. Kawamoto;T. Koide;Y. Takeda
通讯作者：
Y. Takeda
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3.2
作者：
Franzo, G;Coffa, S;Spinella, C
通讯作者：
Spinella, C
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影响因子：
3.2
作者：
K. Takahei;A. Taguchi;Y. Horikoshi;J. Nakata
通讯作者：
J. Nakata
氧共掺杂 GaAs 铒原子周围局域结构的 EXAFS 测量
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.258-263.1571
发表时间：
1997
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
M. Tabuchi;H. Ofuchi;T. Kubo;K. Takahei;Y. Takeda
通讯作者：
Y. Takeda