Study on Stability of Pentacene-Based Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Diodes in Air Using Capacitance-Voltage (C-V) Characteristics

Study on Stability of Pentacene-Based Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Diodes in Air Using Capacitance-Voltage (C-V) Characteristics
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利用电容电压 (C-V) 特性研究并五苯基金属氧化物半导体 (MOS) 二极管在空气中的稳定性

DOI:
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发表时间:
2009
期刊:
Japanese Journal of Applied Physics 48(in press)
影响因子:
--
通讯作者:
et al.
et al.
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
Md.;Akhtaruzzaman;et al.

文献摘要

参考文献

被引文献

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